重量

1.6公斤，包括鋰離子電池

鍵區(qū)

英文、國(guó)際符號(hào)、日文、中文

用戶界面的語(yǔ)言

英語(yǔ)、西班牙語(yǔ)、法語(yǔ)、德語(yǔ)、日語(yǔ)、中文、葡萄牙語(yǔ)和俄語(yǔ)

探頭接口

BNC接口或NO LEMO接口

數(shù)據(jù)存儲(chǔ)

機(jī)載100000個(gè)ID編碼，可插拔2 GB microSD卡（標(biāo)準(zhǔn)）

電池類型

單個(gè)鋰離子電池，可充電，標(biāo)準(zhǔn)型

電池供電時(shí)間

15小時(shí)到16小時(shí)（鋰離子）

電源要求

AC輸電干線：100 VAC ～ 120 VAC、200 VAC ～   240 VAC，50 Hz ～ 60 Hz

顯示屏類型

全VGA（640 × 480像素）透反彩色LCD，60 Hz更新速率

顯示屏尺寸（寬 × 高，對(duì)角線）

117 mm × 89 mm，146 mm

接收器規(guī)格

增益

0 dB ～ 110 dB

最大輸入信號(hào)

20 V P-P

接收器輸入阻抗

400 Ω ±5%

接收器帶寬

0.2 MHz ～ 26.5 MHz，–3 dB

數(shù)字式濾波器設(shè)置

30個(gè)標(biāo)準(zhǔn)數(shù)字式濾波器設(shè)置
  7個(gè)符合EN12668-1:2010標(biāo)準(zhǔn)的濾波設(shè)置
  （0.2-10 MHz、2.0-21.5 MHz、8.0-26.5 MHz、0.5-4 MHz、0.2-1.2 MHz、1.5-8.5 MHz和5-15 MHz）

檢波

全波、正半波、負(fù)半波、射頻波

系統(tǒng)線性

水平：±0.5% FSW

分辨率

0.25 % FSH，放大器精度為±1 dB

抑制

0 % ～ 80 %滿屏高，帶有可視警告

波幅測(cè)量

0 % ～ 110 %滿屏高，分辨率為0.25 %

測(cè)量速率

在所有模式下，相當(dāng)于PRF

脈沖發(fā)生器規(guī)格

脈沖發(fā)生器

可調(diào)方波

脈沖重復(fù)頻率（PRF）

10 Hz ～ 2000 Hz，增量為10 Hz

能量設(shè)置

100 V、200 V、300 V、400 V

脈沖寬度

25 ns ～ 5000 ns（0.1 MHz）范圍內(nèi)可調(diào)，利用PerfectSquare技術(shù)

阻尼

50、100、200、400 Ω

校準(zhǔn)技術(shù)規(guī)格

自動(dòng)校準(zhǔn)

聲速、零位偏移、角度（K值）、垂直聲束（第一個(gè)底面回波，或回波到回波）、角度聲束（聲程或深度）

檢測(cè)模式

脈沖回波、雙晶或穿透

單位

毫米、英寸或微秒

范圍

3.36 mm to 13388   mm，5,900 m/s

聲速

635 m/s ～ 15240 m/s

零位偏移

0 ～ 750 μsec

顯示延遲

-59 mm to 13401 mm，鋼中縱波聲速

折射角度

0° ～ 90°，增量為0.1°。

閘門技術(shù)規(guī)格

測(cè)量閘門

２個(gè)*獨(dú)立的閘門，用于波幅和渡越時(shí)間（TOF）的測(cè)量

閘門起點(diǎn)

在整個(gè)顯示范圍內(nèi)可變

閘門寬度

在從閘門起點(diǎn)到顯示范圍的終點(diǎn)之間的區(qū)域內(nèi)可變

閘門高度

在2% ～ 95% FSH范圍內(nèi)可變

報(bào)警

正閾值和負(fù)閾值，最小深度（閘門1和閘門2）

測(cè)量技術(shù)規(guī)格

測(cè)量顯示位置

5個(gè)位置（手動(dòng)或自動(dòng)選擇）

閘門1/閘門2

厚度、聲程、投射、深度、波幅、渡越時(shí)間、最小/最大深度、最小/最大波幅

回波到回波

標(biāo)準(zhǔn)閘門2到閘門1，可選界面閘門跟蹤

其它測(cè)量

DGS/AVG的上沖值（dB）、DGS/AVG的ERS（等效反射體大小）、AWS D1.1/D1.5的A、B、C和D值定級(jí)、抑制值、回波到參考dB值。

DAC/TCG

標(biāo)準(zhǔn)

DAC點(diǎn)

多達(dá)50個(gè)點(diǎn)，110 dB動(dòng)態(tài)范圍

特殊的DAC模式

自定義DAC（多達(dá)６條曲線），20 % ～ 80 %視圖

曲面校正

用于角度聲束測(cè)量的標(biāo)準(zhǔn)外徑或棒材校正

腐蝕（可選）

交叉零點(diǎn)測(cè)量算法、V聲程校正、單一回波、回波到回波，或編碼B掃描

環(huán)境評(píng)級(jí)

IP評(píng)級(jí)

根據(jù)IEC   60529-2004（外殼防護(hù)等級(jí)– IP規(guī)范）標(biāo)準(zhǔn)，瀏覽鍵區(qū)硬件設(shè)計(jì)符合IP67侵入保護(hù)評(píng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，飛梭旋鈕硬件設(shè)計(jì)符合IP66侵入保護(hù)評(píng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。在新開(kāi)發(fā)的產(chǎn)品正式投入生產(chǎn)以前，奧林巴斯要對(duì)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)進(jìn)行內(nèi)部檢驗(yàn)。這款儀器經(jīng)測(cè)試證明符合IP評(píng)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)。

爆炸性氣氛

通過(guò)了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法511.4程序I中規(guī)定的測(cè)試，可在國(guó)家防火協(xié)會(huì)規(guī)范（NFPA 70）500節(jié)I級(jí)2分段D組中規(guī)定的爆炸性氣氛中安全操作。

撞擊測(cè)試

通過(guò)了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法516.5程序I中規(guī)定的測(cè)試，每個(gè)軸6個(gè)循環(huán)，15 g，11 ms半弦波

振動(dòng)測(cè)試

通過(guò)了美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-810F方法514.5程序I附錄C圖6中的測(cè)試，一般暴露：每軸1小時(shí)

工作溫度

-10 °C ～ 50 °C

電池存儲(chǔ)溫度

0 °C ～ 50 °C

輸入/輸出

USB端口

USB（OTG）端口

RS-232端口

有

視頻輸出

標(biāo)準(zhǔn)VGA輸出

模擬輸出

1個(gè)模擬輸出（可選），可選的1   V/10 V全標(biāo)度，最大4 mA

報(bào)警輸出

3個(gè)報(bào)警輸出，5V TTL，10 mA

觸發(fā)器I/O

觸發(fā)器輸入為5V TTL；觸發(fā)器輸出為5V TTL，最大10 mA

編碼器輸入

單軸編碼器線（正交，僅適用于腐蝕模塊模式）